Nabídky spolupráce pro průmysl

Zvyšte svou konkurenční výhodu spoluprací s jedním z nejlepších výzkumných a vývojových ústavů v České republice.

Fyzikální oddělení společně s výzkumným a vývojovým střediskem CEPLANT nabízejí několik výzkumných, vývojových a kooperačních aktivit v různých oborech, včetně nanomateriálů, fyziky plazmatu a chemie nebo super tvrdých a funkčních povlaků.

Nabídka spolupráce

Nízko-nákladové a vysoce výkonné plazmové zdroje

Unikátní plazmový generátor vyvinut na Ústavu fyzikální elektroniky je vědeckou a průmyslovou komunitou již všeobecně uznáván jako difúzní koplanární povrchový bariérový výboj – DCSBD (z ang. diffuse coplar surface barrier discharge).

DCSBD pracuje v podmínkách okolního vzduchu. Vytváří difúzní povrchovou plazmu s velmi vysokou hustotou výkonu až 150 W/cm3.

Na vaše přání můžeme DCSBD přizpůsobit a vložit do jakéhokoli typu reaktoru, který je k dispozici pro zpracování pevných nebo flexibilních vzorků.

Máme více než 20 let zkušeností s plazmovými úpravami povrchů. Pomůžeme vám s jakýmikoli potřebami přizpůsobení vašeho vlastního plazmového zdroje, navrhneme nový nebo vám pomůžeme rozhodnout, který plazmový generátor od jiného dodavatele by měl být vhodný pro vaši aplikaci.

Depozice tenkých vrstev

V centru CEPLANT nabízíme depozice různých tvrdých a ochranných vrstev magnetronovým naprašováním:

  • Preparation of wide range on coatings (metals, oxides, nitrides, ceramics etc.) on wide range of substrates
  • The coatings can be deposited by sputtering using DC, p-DC, RF of HIPIMS power source
  • The substrate can be Ar cleaned prior the deposition, the bias can be used during the deposition
  • Oxides or nitrides can be deposited either from compound targets or by reactive process controlled by fast-feedback system.
  • Coating can be prepared using HIPIMS (High Power Impulse Magnetron Sputtering) process
  • Modeling and diagnostics of the deposition process
  • Consultations service

V čistých prostorách na Ústavu fyziky kondenzovaných látek nabízíme následující depozice tenkých vrstev:

  • Vrstvy SiO2 na křemíku připravené suchou či mokrou oxidací.
  • Vrstvy AlCuSi a TiW připravené magnetronovým naprašováním.

 

Optická charakterizace tenkých vrstev a měření tlouštěk

Naší základní metodou optické analýzy vrstevnatých struktur je spektroskopická  elipsometrie, která umožňuje (u dobře definovaných vzorků) dosáhnout sub-nanometrové přesnosti v určení tlouštěk. Můžeme nabídnout také mapování nehomogenních vzorků a analýzu vibračních spekter rozšířením měřeného spektra do infračervené oblasti. Tato technika je doplněna měřením Ramanského rozptylu které nabízí možnost identifikovat materiál s prostorovým rozlišením pod 1 mikrometr.

 Kontakt: Ústav fyziky pevných látek, Filip Münz, Josef Humlíček, Dušan Hemzal.

Vyzařovací characteristiky světelných zdrojů

Nabízíme expertízu pro měření úhlového rozdělení, spektra či polarizace světla emitovaného různými zdroji, včetně měření absolutního světelného toku (zejména ve viditelné oblasti). Zvláštní situace (např. charakteristiky infračervených zdrojů) mohou být vyhodnoceny porovnáním se standardizovanými zdroji.

Kontakt: Ústav fyziky pevných látek, Filip Münz, Josef Humlíček

Rentgenová strukturní analýza krystalických látek a vrstevnatých struktur

Máme dlouholeté zkušenosti s aplikacemi metod rentgenového rozptylu: rentgenová difrakce (XRD), rentgenová topografie, rentgenová reflektometrie (XRR), maloúhlový rozptyl (SAXS, GISAXS). Poskytujeme analýzu týkající se strukturní kvality a homogenity krystalů a tenkých vrstev, defektů v nich, měření tlouštěk vrstev a drsností rozhraní. Poskytujeme též expertízu v in-situ měření změn strukturní morfologie při žíhání vzorků.

Kontakt: Ústav fyziky kondenzovaných látek, Ondřej Caha, Jiří Novák.

Litografie, oxidace a další procesy polovodičové technologie v čistých prostorách

Máme k dispozici zkušenosti s procesy v čistých bezprašných prostorách. Naše laboratoř má 120 m2 ve třídě čistoty 100 a 1000 a je vybavena standardními polovodičovými technologiemi pro přípravu elektronických součástek (čipů) na křemíkových deskách o průměru 100 mm. Procesy zahrnují suchou a mokrou oxidaci, sycení bórem a fosforem, naprašování metalických vrstev AlCuSi a TiW, optickou litografii a mokré (chemické) a suché (O2 plazma) leptání a čištění.

Vzorky mohou být charakterizovány optickou spektroskopií, optickou a elektronovou mikroskopií, mechanickou profilometrií a elektrickými měřeními.

Procesní technologie v laboratoři byl získána díky dlouhodobé spolupráci s firmou ON Semiconductor (Rožnov pod Radhoštěm).

Kontakt: Ústav fyziky kondenzovaných látek, Petr Mikulík.

Optická a elektronová mikroskopie

Máme zkušenosti se širokou řadou mikroskopických technik. Laboratoř optické mikroskopie je dobře vybavena na Ústavu fyziky kondenzovaných látekk. Mikroskop atomové síly (AFM) běží v centru CEPLANT.

Provozujeme též dva elektronové mikroskopy.

TESCAN Mira v centru CEPLANT má FEG zdroj a kromě standardních SEM technik umožňuje též analýzu EDX, WDS a EBIC.

FEI Quanta 3D na Ústavu fyziky kondenzovaných látek má termální zdroj, a kromě standardních SEM technik umožňuje režim ESEM, zahřívání vzorku in-situ, a má též iontový fokusovaný svazek (FIB) a systém pro plynovou injekci (GIS).

Kontakt:

Kontakt: Ústav fyziky kondenzovaných látek, Mojmír Meduňa, Petr Mikulík.

CEPLANT, Jana Jurmanová.

Máte zájem o spolupráci? Kontaktujte nás!